半导体激光器封装件高低温循环试验箱

半导体激光器封装件高低温循环试验箱壹叁伍 叁捌肆陆 玖零柒陆 测试门与机体采耐高低温之高张性密封条,以确保测试区之密闭。大观测附照明保持箱内明亮，且利用发热体内嵌式玻璃，随时保持清晰的观测窗内的状况。箱机体左侧与上方具两个直径50mm的测试孔，可供外接测试电源线或信号线使用。机器底部采用高质量可固定式活动轮，以便固定及移动之用。可满足标准IEC61215、IEC61646、IEC61730、GB/T19394－2003、 GB/T9535－1998、GB/T6492－1986、GB/T6494、GB/T6497、SJ/T2196; IEC61345－1998; IEC61646、GB 10592—89、GB10586－89等标准。
半导体激光器封装件高低温循环试验箱技术参数：
试验区尺寸：80×80×80
机器外尺寸：140×165×115
温度范围：－40℃～85℃。
湿度范围：20﹪ ～ 98﹪ RH。
升温速率：－40℃～+85℃,平均 1～3℃/min。
降温速率：+85℃～－40℃,平均 1～3℃/min。
半导体激光器封装件高低温循环试验箱组件方法：
1、热循环试验：空气的循环速度不低于2m·s-1,使组件的温度在-40 ±2℃ 和85±2℃之间,高和低之间的温度变化速率不超过100 ℃/h ，在每个温度下,应保持稳定至少10min 。一次循环不超过6h。
2、湿-冷试验：组件的温度在-40 ±2℃ 和85±2℃之间,高和低之间的温度变化速率不超过100 ℃/h或不超过100 ℃/h，使组件完成10次循环，高和低温度应在所设定值的±2℃以内，室温以上各温度下，相对湿度应保持在所设定值的±5﹪以内。
3、湿-热试验：试验温度在85±2℃，相对湿度85﹪±5﹪,试验时间为1000个小时。
半导体激光器封装件高低温循环试验箱结构及材质：
内箱材质：SUS#304耐高低温不锈钢板。
外箱材质：高品质彩钢板。
保温层：采用高强度PU发泡，可避免不必要的能量损失。
测温体：进口温湿度一体传感器。
仪表解析精度： 温度：0.1℃。 湿度：0.1﹪RH。
仪表控制精度： 温度：±0.3℃。 湿度：±1.5﹪RH。
波动度：温度：≤±0.5℃。 湿度：≤±1.5﹪RH。
温度均匀度：≤2℃。
温度偏差：≤±2℃。
湿度偏差： +2﹪RH，-3﹪RH。
双门，从中向两边开启。
半导体激光器封装件高低温循环试验箱性能特点：
1．科学的空气流通设计、避免任何死角、使箱内温度分布均匀，保证组件测试结果的准确性。
2．真彩触摸式可程式控制器，配备电脑连线接口，使用者可以在电脑屏幕上设计程序，收集测试资料与记录、呼叫程式执行、遥控机器开关机等功能，自动化程序高，操作简单。
3．异常状况发生时，控制器屏幕上即时自动显示故障状态，切断电脑开关，并提供故障排除方法。
4．冷冻系统采用二元复叠制冷与常温制冷结合设计，二元复叠制冷于不同温域采用不同压缩机做功，以增加设备的使用寿命。
半导体激光器封装件高低温循环试验箱用途：
半导体激光器封装件高低温循环试验箱又名高低温循环试验箱主要应用于测试光伏组件，是单晶硅组件、地面用晶体硅光伏组件、地面用薄膜光伏组件等一系列的产品进行热循环、湿冷、湿热试验后，产品的参数及性能。